İkincil iyon küle spektrometre time of flight (TOF) yüzey analizlerinde oldukça hassastır. Ar- Ge ve çoğu endüstri alanında en iyi belirlenmiş analiz tekniğidir. Numunelerin yüzeyleri, ince katmanları, arayüzeyleri ve üç boyutlu analizleri hakkında detaylı elementel ve moleküler bilgi sunar. Geniş kullanım alanlarına örnek olarak; yarı-iletken içerenler, polimerler, boya, kaplama, cam, kağıt, metaller, seramikler, biomalzemeler ve farmasötik numuneler sayılabilir.
TOF-SIMS5 son 20 yılda üretilen 5. jenerasyon TOF-SIMS dir. Dizaynı SIMS uygulamalarında optimum performansı garanti eder.
Eşsiz TOF-SIMS5 Özellikleri:
- Optimize iyon demet kaynağı ile moleküler yapılar için ultra yüksek hassasiyet
- Düşük enerji girişim profili ile sıradışı performans
- Kolay data işlemesi ve çözümleme için sofistike yazılım
- Moleküler yapı için geniş konfigürasyon ve yükseltilebilirlik
- Kompakt tanımlama ve ergonomik tasarım
TOF-SIMS analizlerinde, katı numune yüzeyi birincil iyon demeti ile bombardıman edilir. Atomik ve moleküler iyonların her biri en dış katmanın yüzeyinden yayılır. Kütlelerin uçuş süreleri dedektör ile ölçülür. Bu analiz döngüsü yüksek frenkansta kütle spektrumunu yüksek dinamik mertebesinde oluşturur. TOF-SIMS5 güçlü özelliklerin kombinasyonudur.
- Organik ve inorganik malzemelerde iyonların paralel dedeksiyonu
- Limitsiz kütle skalası
- Full geçirgenlikte yüksek kütle çözünürlüğü
- Yüksek yanal ve derinlemesine çözünürlüğü
- ppm/ ppb mertebesinde yüksek çözünürlük
